С появлением на отечественном рынке силовых транзисторов, выполненных по МОП – технологии (MOSFET и IGBT), стало возможным создание на их базе высокоэффективных генераторов, обладающих значительным преимуществом по сравнению с ламповыми генераторами.
       К недостаткам ламповых генераторов следует отнести ограниченный срок службы, зависящий от условий эксплуатации и редко превышающий 6000 рабочих часов. Низкий КПД (даже теоретически не выше 70%), на практике никогда не более 50-60%.
        При проектировании высокочастотного генератора для индукционного нагрева с применением мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором.
        Получение КПД вч. генератора выше 95% используя современную элементную базу определённые схемные решения не представляет больших сложностей, но если вести речь о нагревательной установке в целом (с учётом системы индуктор деталь). То здесь нужно учесть ряд вопросов. Опыт производства и эксплуатации ламповых генераторов показывает, что реализовать большую производительность при высоком КПД (выше 75%) и при малом перепаде температуры в нагретом слое можно путём применения глубинного типа нагрева.